第三一七章记忆铭刻 (第4/7页)

……”

    不想当着壹的面失态，李志峰深x1几口气强迫自己冷静下来，控制住情绪，“……永久记忆存储在大脑的多种区域，b如海马T、前额叶皮层和颞叶皮层，以复杂的神经网络连接形式存在……修改永久记忆意味着重塑这些神经网络，使新的虚假记忆在生理层面‘雕刻’进大脑中。这种修改必须让大脑自身认为这些记忆是真实的，不能在逻辑或情感上产生矛盾，否则受试者会很容易产生记忆紊乱和JiNg神崩溃。”

    “……短期记忆控制主要是调节神经元的活动，而永久记忆修改需要重新排列和连接大量神经元和突触……必须JiNg确地锁定和重塑神经元之间的突触连接，这是一种生物电和化学信号双重作用的复杂过程……难点在于神经网络的自我修复机制，如果虚假记忆与受试者的已有记忆矛盾，大脑会产生应激反应，b如焦虑、头痛、记忆混乱……仅仅植入事件X记忆是不够的，记忆必须带有完整的情感和感官T验，否则会被大脑视为虚构……”

    李志峰侃侃而谈，给众人讲解他这段时间研究出来的永久记忆植入的核心原理，“……脑机接口依赖于一种磁X纳米粒子，这种粒子能够穿透血脑屏障，进入大脑神经元……这些粒子在大脑中分布，特别是集中在海马T和额叶皮层。海马T负责短期记忆转化为长期记忆，而额叶皮层负责情感和理X思维。外部的脑机接口通讯模块通过高频电磁脉冲，可以强制大脑中的特定神经元重复激活，形成长期突触增强……我把这个过程命名为Long-TermPotentiatio